ＴＯＰ

�\　アンプの企画

１．ヒアリング環境と最大出力

２．音質と出力管

３．安全性と長寿命化の方針

４．出力方式

５．ＮＦＢ

６．ドライブ回路

７．位相反転回路

８．電圧増幅回路

９．トータルゲイン

10．電源回路

11．ＮＦＢ回路

第８章　アンプの企画

はじめに

・アンプの音の表現について過去の事例の一部を紹介する。

・本書の目的を達成するために要素回路の選択肢と得失の比較評価を行なう。

・企画の手順はいろいろある。その一例を示す。

８．１　アンプの音を決める要素

・アンプの企画には音への好奇心や求める音のイメージが必要であるが文章による客観的な表現は困難である。

　しかしヒアリング報告のないアンプの製作記事ほど物足りないものもない。

　従って過去の製作記事で実際に使用された表現を例示することにする。

�@音の表現

　低音

　中音

　高音

　全体

�A出力管

　直熱三極管

　傍熱三極管

　三結多極管

�Bシングルかプッシュプルか

・「シングルの華麗さ」、「プッシュプルの端麗さ」。黙って聴かせればおそらく大多数の人はシングルを取るでしょう。（武末一馬、出典？）

�CＣＲＤかＴＲＤか

・ＮＦＢよりも先にトランスドライブかどうかを決定する。

　電気特性か生々しさか

�D無帰還かＮＦＢか

　素直さか電気特性か

８．２　アンプの基本特性を決める要素

�@最大出力電力を大きくする

�Aゲインを大きくする（小さな最大入力電圧で最大出力を得る。）

�B歪率を小さくする

�C周波数特性を良くする

�D出力インピーダンスを小さくする

　ＤＦを大きくする。

�E入力インピーダンスを大きくする

�F雑音・ハムを低減する

�Gクロストークを小さくする

�H基本特性間のトレードオフ

　最大出力電力と歪率

　ゲインと周波数特性

８．３　有名アンプの回路構成

�@オルソンアンプ

�Aウィリアムソンアンプ

�Bリーク型アンプ

　ＴＬ−１０型

�Cミュラード型アンプ

�Dアルテック型アンプ

　１６５９Ａ型

�Eまとめ

８．４　ＮＦＢの採否の検討

（１）ＮＦＢの得失

�@ＮＦＢの長所

　音質面

　特性質面

�AＮＦＢの短所

　音質面

　特性質面

�BＮＦＢの相場

（２）ＮＦＢの量

・ＮＦＢはゲインに余裕があるだけしかかけることは出来ない。

�@無帰還とするケース

�A軽度のＮＦＢをかけるケース

　無帰還で設計してゲインと安定性の許す範囲内で軽くＮＦＢをかける。

�B強度のＮＦＢをかけるケース

　最初から強度のＮＦＢを前提とする回路設計を行ない高性能化を狙う。

８．５　安全性と長寿命化の方針

�@部品の規格に対する余裕

�A市場に部品の在庫があること

�B出力管の価格が極端に高くないこと

８．６　出力回路の企画

（１）必要な最大出力電力の大きさ

�@部屋の広さから

�A使用するＳＰとの相性から

（２）ＳかＰＰか

�@Ｓ出力回路の特徴

　Ｓの音：繊細さ

�AＰＰ出力回路の特徴

　ＰＰの音：迫力

�B結論

（３）Ａ級ＰＰかＡＢ級ＰＰか

�@Ａ級ＰＰ動作の特徴

�AＢ級ＰＰ動作の特徴

�BＡＢ級ＰＰ動作の特徴

�C結論

　最大出力電力の観点から

　歪率の観点から

（４）自己バイアスか固定バイアスか

�@自己バイアスの特徴

　自己バイアスの欠点

　出力管保護に有利である

�A固定バイアスの特徴

　固定バイアスの必要性

　専用のバイアス電源回路が必要となる

　出力管保護を確実にする必要がある

�BＡＢ級における自己バイアス電圧の設定時の問題点

�C結論

８．７　ドライブ回路の企画

（１）ドライブ回路の選択肢

�@ドライブ回路の目的と種類

�AＣＲ結合ドライブ回路

　音の観点

　最大出力電圧の観点

　低インピーダンスドライブの観点

　ゲインの観点

　周波数特性の観点

　ＮＦＢの観点

�Bトランスドライブ回路

　音の観点

　最大出力電圧の観点

　歪の観点

　ゲインの観点

　周波数特性の観点

　ＮＦＢの観点

　ドライブトランスの選択

�CＫＦドライブ回路

　低インピーダンスドライブの観点

　歪の観点

　ゲインの観点

　周波数特性の観点

　ＮＦＢの観点

�D結論

（２）ドライブ管の選択

�@最大出力電圧の確保

�A低ｒｐであること

８．８　位相反転回路の企画

（１）位相反転回路の選択肢

�@位相反転回路の目的と種類

�Aトランス位相反転回路

　音の観点

　出力電圧のバランスの観点

　最大出力電圧の観点

　歪の観点

　ゲインの観点

　周波数特性の観点

　ＮＦＢの観点

　作り易さの観点

　位相反転トランスの選択

�BＰＫ分割位相反転回路

　音の観点

　出力電圧のバランスの観点

　最大出力電圧の観点

　歪の観点

　ゲインの観点

　周波数特性の観点

　ＮＦＢの観点

　作り易さの観点

　位相反転トランスの選択

�Cカソード結合型位相反転（ＫＣ反転）回路

　音の観点

　出力電圧のバランスの観点

　最大出力電圧の観点

　歪の観点

　ゲインの観点

　周波数特性の観点

　ＮＦＢの観点

　作り易さの観点

　位相反転トランスの選択

�D結論

（２）位相反転管の選択

８．９　電圧増幅回路の企画

（１）電圧増幅回路の選択肢

�@電圧増幅回路の目的

�A電圧増幅回路の選択肢

�B動作インピーダンスの方針

　低ＺＬ動作の長所

　高ＺＬ動作の長所

�Cカソード接地電圧増幅回路点

　ゲインの観点

　入力インピーダンスの観点

　最大出力電圧の観点

　歪の観点

　周波数特性の観点

　　ＯＰＴの低域ＣＯＦの１／６〜１／７程度に設計する。

　　ＯＰＴの高域ＣＯＦの６〜７倍程度に設計する。

　最大入力電圧（入力感度）

　低雑音の観点

�D結論

（２）電圧増幅管の選択

８．10　トータルゲインの確保

（１）アンプのゲイン配分

�@無帰還アンプのゲイン配分

�AＮＦＢアンプのゲイン配分

（２）増幅段数の検討

�Bゲイン増加の選択肢

　電圧増幅回路のゲインを増やせないか

　　Ａ（高Ｒｐ）＞Ａ（低Ｒｐ）

　ドライブ回路のゲインを増やせないか

　　Ａ（ＴＲＤ）＞Ａ（ＣＲＤ）＞Ａ（ＫＦＤ）

　ＰＰの場合位相反転回路のゲインを増やせないか

　　Ａ（ＴＲＩ）＞Ａ（ＫＣＩ）＞Ａ（ＰＫＩ）

　どうしてもだめな場合に電圧増幅回路を一段増やす

�C無帰還アンプの増幅段数

　無帰還アンプでゲインが不足する場合

　ローμ管で多段数

�DＮＦＢアンプの増幅段数

　ＮＦＢアンプでゲインが不足する場合

　ハイμ管で少段数

（３）電圧増幅管の選択

�Eローμ・低ｒｐ管

�Fハイμ・高ｒｐ管

８．11　電源回路の企画

（１）シリコンダイオードか整流管か

（２）Ｃ入力かＬ入力か

�@電圧を高く取れるＣＩ

�A電流を多く取れるＬＩ

（３）ブリッジ整流かセンタータップ整流か

（４）電源トランスの選択

�@Ｂ端子の二次電圧、電流容量、形状（ＣＴの有無）

�AＣ端子の有無

�BＡ端子の電圧と電流容量と端子数

（５）電源回路の特性改善

�@ハムノイズを低減させる

　平滑回路を強化する

　ヒーターを直流点火する

�A電圧変動を小さくする

　Ｒiの低いＰＷＴを選ぶこと

　電圧調整用ΔＲを大きくしない

�Bクロストークを小さくする

　並列給電にする

　電源を２モノラル構成にする

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